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佛蒙特州大力推動氮化鎵(GaN)半導體發展
資料來源:
Governor Phil Scott and the State of Vermont Fully Committed to Vermont’s Cutting-Edge V-GaN Tech Hub
佛蒙特州「先進氮化鎵科技中心」推動氮化鎵半導體技術獲商務部指定為全美首批31處科技中心之一,鑒於氮化鎵晶片為下世代半導體關鍵,相較碳化矽(SiC)晶片效能更佳、重量更輕、體積更小且更耐用,可應用於電子、醫療、再生能源及國防等領域,州長Phil Scott重申推動該技術決心。
全球第三大晶圓代工廠格羅方德(GlobalFoundries)獲《晶片法案》15億美元補助,用以擴張紐約州及佛蒙特州生產設施,其中佛蒙特州Fab 9廠區已開始小量生產氮化鎵晶片,盼成為首家採用該技術大規模生產晶片企業。「先進氮化鎵科技中心」基於前開基礎,將與佛蒙特大學、格羅方德、創源工業電腦(OnLogic)就氮化鎵晶片設計、生產與測試擴大合作,州政府商業暨社區發展廳在內相關單位將全力配合協助。
備註:經濟部駐外單位為利業者即時掌握商情,廣泛蒐集相關資訊供業者參考。國際貿易署無從查證所有訊息均屬完整、正確,讀者如需運用,應自行確認資訊之正確性。
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